徐仲英，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师，享受国务院颁发的政府特殊津贴，是国家重大基础研究项目（攀登计划）专家组成员、课题组负责人，中国发光学会理事。

　　1942年农历七月二十九日，徐仲英出生于胜山镇二灶一个普通农民家庭。1960年考入浙江大学光学仪器工程系。1965年考取天津大学研究生。1970年进入中国科学院，一直在中国科学院半导体研究所工作，先后从事半导体器件应用研究和基础物理研究。

　　1982年，徐仲英远涉重洋去美国深造。当时正是国际半导体学科发展的重要转折时期，以分子束外延（MBE）和金属有机物气相沉积(MOCVD)为技术手段的高质量光电材料的诞生，特别是量子阱超晶格材料的问世，为这门充满活力的学科注入了新的生长点，而后来取得的研究成果已成为当今光电子信息产业的重要基础。这对徐仲英来说，既是机遇又是挑战。他过去学的是光学工程，而现在要搞半导体物理，困难可想而知。但他以极大的毅力和决心全身心地投入研究，并取得了优异的成绩。在美国任访问学者的两年时间里，他先后完成了8篇学术论文，发表在《物理评论》、《应用物理快报》等国际一流刊物上，得到美国导师的高度赞扬，称他为“第一流的实验物理学家”。

　　1984年回国后，徐仲英率先在国内开展半导体量子阱超晶格和半导体中超快过程等国际前沿课题的研究，积极推动国内在这一领域的研究工作，并一直处在国内领先地位，在国际上也有一定影响。他和他所在的实验室1989年发展成为国家重点实验室（半导体超晶格国家重点实验室）。在长期的科研工作中，他成果累累，获得多项国家和中国科学院自然科学奖和科技进步奖。其中有关量子点的材料、器件和光学特性方面的研究工作，是国际上在这个自然科学领域中较早的实验工作之一，被国际同行广泛引用。该成果与他人合作获得2000年中国科学院自然科学奖一等奖，2001年度国家自然科学奖二等奖。他和他主持的课题组多年来承担多项国家重大项目，包括“八五”、“九五”国家攀登计划和“973”计划。并先后支持7项国家自然科学基金项目及一项国家重点基金课题，在国内外核心刊物发表文章120余篇，同时培养了一批精于学业、训练有素的硕士和博士。徐仲英与国际同行有广泛的学术交流，多次应邀出国讲学、出席国际学术会议或进行合作研究，先后访问过美国、英国、法国、德国、瑞典、澳大利亚。他还兼任香港科技大学物理系客座教授。